TSM60NB190CZ C0G
Výrobca Číslo produktu:

TSM60NB190CZ C0G

Product Overview

Výrobca:

Taiwan Semiconductor Corporation

Číslo dielu:

TSM60NB190CZ C0G-DG

Popis:

MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

3868 Ks Nové Originálne Na Sklade
12896105
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TSM60NB190CZ C0G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1273 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
33.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TSM60

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
TSM60NB190CZ C0G-DG
TSM60NB190CZC0G

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
TK16E60W,S1VX
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
39
ČÍSLO DIELU
TK16E60W,S1VX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TK17E65W,S1X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12
ČÍSLO DIELU
TK17E65W,S1X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.35
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPP60R199CPXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
512
ČÍSLO DIELU
IPP60R199CPXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.75
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP26N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STP26N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.34
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCP190N65S3
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FCP190N65S3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.44
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMTH10H010LPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

taiwan-semiconductor

TSM80N400CF C0G

MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S

diodes

DMN7022LFG-7

MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8

taiwan-semiconductor

TSM025NB04LCR RLG

MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN